LEEM-8 Magnetorresistentzia Efektuko Aparatu Esperimentala Irudi Nabarmendua

LEEM-8 Efektu Magnetorresistiboaren Aparatu Esperimentala

Deskribapen laburra:

Oharra: osziloskopioa ez dago barne

Gailua egitura sinplekoa da eta edukiz aberatsa. Bi sentsore mota erabiltzen ditu: GaAs Hall sentsorea indukzio magnetikoaren intentsitatea neurtzeko, eta InSb magnetoerresistentzia sentsorearen erresistentzia aztertzeko indukzio magnetikoaren intentsitate desberdinen pean. Ikasleek erdieroaleen Hall efektua eta magnetoerresistentzia efektua behatu ditzakete, ikerketa eta diseinu esperimentuen bidez ezaugarritzen direnak.

Bidali mezu elektroniko bat guregana

Produktuaren xehetasuna

Produktuen etiketak

Esperimentuak

1. Aztertu InSb sentsore baten erresistentzia-aldaketa aplikatutako eremu magnetikoaren intentsitatearen arabera; aurkitu formula enpirikoa.

2. Irudikatu InSb sentsorearen erresistentzia eremu magnetikoaren intentsitatearen arabera.

3. Aztertu InSb sentsore baten korronte alternoko ezaugarriak eremu magnetiko ahul baten pean (maiztasuna bikoizteko efektua).

Zehaztapenak

Deskribapena	Zehaztapenak
Magnetoerresistentzia sentsorearen energia-iturria	0-3 mA erregulagarria
Voltmetro digitala	0-1.999 V-ko bereizmena 1 mV
Mili-teslametro digitala	0-199,9 mT tartea, 0,1 mT bereizmena